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IGBT的结构简介

IGBT的结构简介


其包括三端器件:栅极G、集电极C和发射极E(如附图所示);

图中a—N沟道VDMOSFET与GTR组合——N沟道IGBT。


IGBT比VDMOSFET多一层P+注入区,具有很强的通流能力。


简化等效电路表明,IGBT是GTR与MOSFET组成的达林顿结构,一个由MOSFET驱动的厚基区PNP晶体管。


RN为晶体管基区内的调制电阻。


GTR的特点——双极型,电流驱动,有电导调制效应,通流能力很强,开关速度较低,所需驱动功率大。电流控制元件。

MOSFET的优点——单极型,电压驱动,开关速度快,输入阻抗高,热稳定性好,电压控制元件。


IGBT特点

栅极为电压驱动,驱动电路简单,所需驱动功率小。


工作频率高,开关损耗小,在电压1000V以上时, 开关损耗只有GTR的1/10。


承受电压较高,载流密度大,输入阻抗高,通态压降小,热稳定性好,没有“一次击穿”问题。


驱动电路简单,安全工作区大,电流处理能力强,不需要缓冲电路。


可以实现小电压控制大电流。


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